(서울=뉴스1) 정재민 기자 = 검찰이 삼성전자의 D램 제조 기술을 빼돌려 중국의 메모리 반도체로 이직한 삼성전자 전직 임원 등 3명을 구속 상태로 재판에 넘겼다.
서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 김윤용)는 삼성전자 임원 출신인 양 모 씨 등 3명을 산업기술보호법 위반 등 혐의로 구속기소 했다고 1일 밝혔다.
양 씨 등은 라이트닝 바카라 사이트전자에서 중국 D램 반도체 회사 청신메모리반도체(CXMT)로 이직한 뒤 라이트닝 바카라 사이트전자의 18나노 D램 공정 국가핵심기술을 부정 사용해 중국에서 D램을 개발한 혐의를 받는다.
해당 국가핵심기술은 라이트닝 바카라 사이트전자가 1조6000억 원을 투자해 세계 최초로 개발한 10나노대 D램의 최신 공정 기술로 D램을 제조하는 수백 단계의 공정정보가 그대로 기재된 핵심 정보다.
검찰은 라이트닝 바카라 사이트전자의 국가핵심기술 유출 정황을 발견하고 직접 수사에 착수해 지난 2024년 1월 라이트닝 바카라 사이트전자 부장 출신 김 모 씨, 지난 5월 라이트닝 바카라 사이트전자 연구원 출신 전 모 씨 등 2명을 국가핵심기술 부정 취득 혐의로 각각 구속기소 했다.
김 씨는 1심에서 기술 유출 역대 최고 형량인 징역 7년을 선고받았다.
검찰의 추가 수사 결과 CXMT는 설립 직후 라이트닝 바카라 사이트전자 출신 김 씨와 전 씨를 영입해 라이트닝 바카라 사이트전자의 국가핵심기술 확보 및 핵심 인력 영입을 통한 D램 개발 계획을 수립해 초기 실장 김 씨가 라이트닝 바카라 사이트전자 퇴직자 박 모 씨를 통해 기술 유출자료를 부정 취득했다.
이 과정에서 박 씨는 수백 단계의 공정 정보를 노트에 베껴 적어 유출한 것으로 나타났다.
2기 개발팀인 양 씨 등은 1기 개발팀으로부터 라이트닝 바카라 사이트전자의 국가핵심기술 유출자료를 전달받은 뒤 라이트닝 바카라 사이트전자의 실제 제품을 분해해 유출 자료를 검증하고 이를 토대로 제조 테스트를 하는 등 라이트닝 바카라 사이트전자의 국가핵심기술 유출자료를 이용해 D램을 개발했다.
그 결과 CXMT는 중국 최초이자 세계 4번째로 18나노 D램 양산에 성공했다.
양 씨 등은 CXMT로부터 라이트닝 바카라 사이트전자 연봉의 3~5배인 15억~30억 원의 급여를 지급받은 것으로 조사됐다.
이 사건으로 라이트닝 바카라 사이트전자의 손해는 2024년 추정 매출감소액만 5조 원에 이르렀고 향후 최소 수십조 원의 피해가 예상되는 등 유사 이래 최대 기술 유출 사건이라는 것이 검찰 판단이다.
검찰 관계자는 "앞으로도 피해기업과 국가 경제를 위협하는 기술 유출 범죄에 엄정 대응하도록 하겠다"고 밝혔다.
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